16GB (8GBx2) DDR4/2666 KINGSTON HyperX IMPACT

Description

Power Supply: VDD = 1.2V Typical

VDDQ = 1.2V Typical

VPP - 2.5V Typical

VDDSPD = 2.25V to 3.6V

On-Die termination (ODT)

16 internal banks; 4 groups of 4 banks each

Bi-Directional Differential Data Strobe

8 bit pre-fetch

Burst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop)

Height 1.18” (30.00mm)

HyperX HX426S15IB2K2 / 16 เป็นชุดของ 1G x 64 บิต (8GB) สองชุด

DDR4-2666 CL15 SDRAM (ซิงโครนัส DRAM) 1Rx8 หน่วยความจำ

โมดูลที่ใช้ส่วนประกอบ DDR4 FBGA แปดตัว 1G x 8 บิต

ความจุของชุดอุปกรณ์ทั้งหมดคือ 16GB แต่ละโมดูลรองรับIntel® Extreme

หน่วยความจำโปรไฟล์ (Intel XMP) 2.0 โมดูลนี้ได้รับการทดสอบ

ทำงานที่ DDR4-2666 ในเวลาแฝงต่ำที่ 15-17-17 ที่ 1.2V

พารามิเตอร์เวลาเพิ่มเติมจะแสดงในการกำหนดเวลา PnP

ส่วนพารามิเตอร์ด้านล่าง มาตรฐานไฟฟ้าของ JEDEC